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IXTH 30N50P IXTQ 30N50P IXTT 30N50P
IXTV 30N50P IXTV 30N50PS
90
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
50
9
8
7
6
V DS = 250V
I D = 15A
I G = 10mA
40
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
R DS(on) Limit
C iss
1000
25μs
C oss
10
100μs
1ms
100
10
f = 1MHz
C rs
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
1.00
0.10
0.01
V D S - Volts
Fig. 13. M axim um Tr ans ie nt The r m al Re s is tance
V D S - Volts
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
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